可以说，晶体管方面，Dunnington完全使用了和Nehalem-EX一样的工艺，和Penryn完全不同。Dunnington也使用了Static CMOS线路：

为了降低能耗，Nehalem架构将以往应用的Domino线路更换为Static CMOS线路，速度有所降低，但是能源效率提升了。Dunnington也采用了这样的做法

 　　除了线路类型的变更之外，Nehalem的晶体管也进行了变化：

Intel High-k Metal Gate晶体管，S极到D极的红色箭头就是“channel沟道”，也就是耗尽区所在

　　在同一个线路中，使用的晶体管不同，耗电也是不同的，MOSFET元件按沟道长度可以分为长沟道Long Channel和短沟道Short Channel，短沟道具有较好的性能，不过其漏电流也相应更大（耗尽区宽度不足而与源极合并而导致大量漏电电流）。

这个图可不容易明白：沟道长度与漏电的关系，请自行理解（越低的延迟，越高的漏电电流）

　　在《透视八核心至强 Nehalem-EX处理器解析》提到Nehalem-EX使用了Long Channel长沟道晶体管元件，Dunnington上也有使用，只不过“分量”有些不同。在IC设计当中通常需要根据不同的情况使用不同沟道长度的晶体管，对于Nehalem而言，非关键时序（non-timing-critical）的线路可以使用性能略差的长沟道MOSFET晶体管以减少亚阈值漏电（subthreshold leakage，MOSFET的subthreshold亚阈值特性被广泛利用在低电压线路上），实际上Intel用的是"longer-channel"——“更长沟道”的MOSFET。

　　Nehalem-EX核心部分的58%和核外部分（不包括缓存阵列）的85%都使用了更长沟道晶体管，最后其漏电功率被控制到总功耗的16%，付出的代价是Nehalem的L1-D延迟由上一代的3时钟周期上升到4时钟周期。Dunnington则是核心部分的65%和核外部分（不包括缓存阵列）的90%都使用了省电的长沟道晶体管，可见同样的45nm工艺，Dunnington做得比Nehalem-EX好一些，因为Nehalem-EX的运行速度更高，Uncore、QPI等的频率都要求用较多的高性能高漏电的短沟道晶体管。

　　不过，Nehalem架构设计上就具有PCU（Power Control Unit，电源控制单元）可以彻底关闭不需要用到的核心、缓存，因此其闲置功耗表现将会好一些。可以做一个直观的比较，6核心、2.66GHz的Xeon X7460和8核心、约更高频率的Nehalem-EX的TDP都同样为130W。

左：一般工艺，右：Dunnington的低漏电工艺

　　在使用Long Le（长沟道晶体管）技术之后，和同样45nm的其他Penryn架构处理器（如Harpertown等）相比，漏电降低了约1/3（一般45nm处理器漏电占总功耗的46%），降低到22%。如此这般，在增加了内核数量的情况下，Dunnington的功耗并没有上升，在使用较低的供电电压情况下，6核心的Dunnington甚至可以做到65W的TDP。