花了这么多钱的32nm有什么好处了？自然是更低的功耗和更好的性能了。
Intel High-k Metal Gate晶体管，这两个技术都是为了增强晶体管的场效应和降低其漏电
Intel代号P1268的32nm CPU制造工艺仍然是基于High-κ（这个希腊字母有时贪图快捷的话也写作英文字母的K）和Metal Gate技术，只是High-κ介质层的厚度已经从45nm工艺的1nm降低到0.9nm，Metal Gate金属栅极间距也缩小到上一代的70%，因此32nm上的High-k Metal Gate工艺被称为第二代 High-k Metal Gate工艺。Intel 32nm工艺提供了112.5nm的晶体管金属栅极宽度，是已知相同制造工艺中的最尖端水平。
Intel 32纳米制造工艺技术特性，在重要的金属层上，Intel使用了浸没式光刻技术（可以矫正折射率方面的影响）
晶体管密度的提升：晶体管数量增加——更多的核心、更大的缓存
晶体管性能方面，如下图所示，Intel 32nm工艺可以在同样IOFF（漏电流）情况下让ION（驱动电流）提升14%（NMOS晶体管）或22%（PMOS晶体管），或者在同样ION情况下让IOFF降低到原来的1/5（NMOS）或者1/10（PMOS），要功耗还是要性能？任君选择，当然更现实的是一样来一点。（注：下图老外用的是：NMOS降低超过5x、PMOS降低超过10x，但是汉语上来说，没有“降低X倍”这种说法）
32nm晶体管对45nm的性能提升
32nm晶体管对45nm的性能提升
此外，Intel 32nm工艺还应用了第四代应变硅材料。最后，还有Low-K介质和铜互联技术，已经成为了一种基本的工艺技术。这些工艺都可以降低功耗、提升性能。
