Intel High-k Metal Gate晶体管
Intel High-k Metal Gate晶体管
和Penryn一样，Nehalem的生产工艺，都是45nm CMOS工艺，采用了金属栅极High-K电介质晶体管以及9层铜互联技术，总晶体管数量则为0.781 Billion——7.81亿，比Bloomfield要多一些，因为Gainestown要比Bloomfield多了一个QPI总线。
Nehalem-EP晶圆下部的左边是QPI0，右边是QPI1
在《2008年度评测报告：深入Nehalem微架构》中，笔者简单地提到了为了降低功耗，Nehalem将以前使用的Domino线路更换为了Static CMOS线路：
为了降低能耗，Nehalem架构将以往应用的Domino线路更换为Static CMOS线路，速度有所降低，但是能源效率提升了
