AMD 45nm Shanghai Opteron 2378实物照

AMD Shanghai/上海晶圆超级大图（2560x1742），包括了4个完整的四核上海CPU

AMD Shanghai核心区间划分，注意和上图CPU核心的方向刚好是左右相反的

AMD Shanghai/上海晶圆，注意和上图相比，L3缓存的面积有所降低

　　AMD的45纳米制程工艺是联合IBM一同研发的。有趣的是，与英特尔的高-K金属栅极不同，AMD和IBM的技术是超低K电介质互联。而另两项相关技术分别是：多重增强晶体管应变技术和沉浸式平板印刷术。

　　简单来说，多空、超低K电介质可以降低串联电容、降低写入延迟和能量消耗，从而明显提升性能功耗比；而沉浸式平板印刷术，实际上就是在激光蚀刻头的中间加入一种特殊的液体来修正光的折射，从而让其在晶圆上更好的刻录晶体管。用这种工艺设计生产的SRAM芯片可获得大约15％的性能提升。真正解决AMD在45纳米技术难题的是多重增强晶体管应变技术，AMD和IBM称，与非应变技术相比，这一新技术能将P沟道晶体管的驱动电流提高80％，将N沟道晶体管的驱动电流提高24％。

　　AMD表示，这些技术不但可以用在45纳米领域，还是未来32纳米处理器制程的关键技术。