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40年大突破 英特尔45nm晶体管技术解析

  英特尔45nm技术带给我们什么?

  同今天的65nm技术相比,英特尔宣称45nm技术具有多个方面的优势:

  • 晶体管密度提升了2倍,从而使芯片体积更小

  • 晶体管切换功率降低30%以上

  • 晶体管切换速度提升20%以上

  • 源极-漏极漏电功率降低5倍以上

  • 栅极氧化物漏电功率降低10倍以上

  这项技术落实到产品上就是闪存芯片和处理器,这些产品同样会因为这些特性而受益。双路Xeon将会是第一个全线应用45nm技术的产品线:代号为Harpertown的Xeon 5400处理器将会使用45nm Hi-k技术。

  Xeon 5400处理器将会具有更高的集成度,每个四核处理器中将会包括8.2亿个晶体管,而上一代四核处理器Xeon 5300处理器则为5.8亿个晶体管,但是Xeon 5400处理器的核心面积则减小到了107平方毫米。“晶体管密度提升了2倍”的优势得以体现。

 基于45nm制程技术的四核Xeon处理器的主频不久前才达到了3GHz,而基于45nm制程技术的处理器的最高主频肯定是可以突破3GHz的,这也得益于“晶体管切换速度提升20%以上”。

  代号Silverthorne的处理器是英特尔为下一代移动互联网设备(MID)和UMPC准备的,它也将会采用45nm制程技术,运行在英特尔“Menlow”平台上,最让人惊喜的是这款处理器的功耗只有0.5瓦,“晶体管切换功率降低30%以上”、“源极-漏极露电功率降低5倍以上”、“栅极氧化物漏电功率降低10倍以上”这些都是45nm制程技术功不可没的地方。
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