闪存技术路线图

　　除了IBM，过去多家存储厂商，也曾推出PCIe接口的闪存卡，来加快服务器的I/O性能，例如EMC VFCache产品等。而IBM除了推出FlashSystem产品之外，在未来也将持续推出采PCIe接口的Flash闪存产品线。此外，FlashSystem产品技术也将与IBM服务器产品整合，包括Flex System服务器等。

　　谈到PCI-E闪存加速卡与全闪存阵列的区别，许育诚认为：PCI-E闪存卡拥有广阔的市场，但PCI-E闪存卡应用有几个方面的特点，第一，PCI-E闪存卡适合的应用90%是读操作，另外，PCI-E闪存卡更多的适用于单个的服务器加速，暂时还没有集群的应用。如果要将闪存技术应用到企业级，首先需要大量的写操作，其次，数据需要共享给更多的服务器应用，目前还是闪存阵列能够更好的满足更多的企业级应用需求。

▲IBM副总裁、IBM系统与科技部企业级存储产品线总经理周谂畬

　　谈到FlashSystem的未来路线图，IBM副总裁、IBM系统与科技部企业级存储产品线总经理周谂畬透露， IBM的闪存技术追求更高的密度，目前FlashSystem 820做到了1U 24TB容量，未来，FlashSystem的IO密度和容量都会持续提升。此外，IBM在购买TMS公司的时候还购买了内置基础架构技术，TMS的闪存技术除了可以作为独立闪存阵列销售，很快还会融入IBM的高端存储、以及中端存储系统产品中，并与IBM的DB2数据库技术和中间件Information Management做高度的整合，包括和Puredata analytics也会有深度的整合，未来IBM将利用闪存技术作答数据基础云。

▲周谂畬解读IBM未来的闪存路线图

　　周谂畬进一步谈到，更进一步的计划不仅仅包括核心技术的投资，甚至包括工艺制程方面的改进，现在的闪存技术基于20纳米，以后会有19纳米、15纳米的工艺制程。“我们在苏黎世有一个很重要实验室专门做这方面的研究，利用数字信号进程技术(Digital Signal processing Technology)增加闪存的密度。Digital Signal Processing Technology能够区分这些data不一样的地方，我们未来将会将这些全新的技术融入闪存。”