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40nm工艺 三星低电压DDR3内存功耗测试

  【IT168评测中心】大致上,在我们的测试当中,整个平台使用新工艺的内存在内存密集型负载下可以节约10%的电力,节约的能源大部分来自内存功耗的降低,部分也来自于处理器内存控制器部分的工作功耗降低。


40nm Samsung内存模组

  值得一提的是,我们使用的样品在测试时工作电压仍然是1.5V,没有完全体现出其1.35V低电压设计的能力,可以说,这组内存还可以具有更好的功耗表现。

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