测试平台、测试环境 | ||||||
| 测试分组 | ||||||
类别 | 双路Intel Westmere-EP Xeon X5680 | |||||
| 处理器子系统 | ||||||
| 处理器 | 双路Intel Xeon X5680 | |||||
| 处理器架构 | Intel 32nm Westmere-EP | |||||
| 处理器代号 | ? (Westmere-EP) | |||||
| 处理器封装 | Socket 1366 LGA | |||||
| 处理器规格 | 六核 | |||||
| 处理器指令集 | MMX,SSE,SSE2,SSE3,SSSE3, SSE4.1,SSE4.2,EM64T,VT AES | |||||
| 主频 | 3.33GHz | |||||
| 处理器外部总线 | 2x QPI 3200MHz 6.40GT/s 单向12.8GB/s（每QPI） 双向25.6GB/s（每QPI） | |||||
| L1 D-Cache | 6x 32KB 8路集合关联 | |||||
| L1 I-Cache | 6x 32KB 4路集合关联 | |||||
| L2 Cache | 6x 256KB 8路集合关联 | |||||
| L3 Cache | 12MB @ 2668.7MHz 16路集合关联 | |||||
| 主板 | ||||||
| 主板型号 | ASUS Z8PS-D12-1U | |||||
| 芯片组 | Intel Tylersburg-EP IOH:Intel 5520(Tylersburg-36D) ICH:Intel 82801JR(ICH10R) | |||||
| 芯片特性 | 2x QPI 36 PCI Express Gen2 Lanes VT-d Gen 2 | |||||
| 内存控制器 | 每CPU集成三通道R-ECC DDR3 1333 | |||||
| 内存 | 4GB SAMSUNG 50nm R-ECC DDR3 1333 SDRAM x6 4GB SAMSUNG 40nm R-ECC DDR3 1333 SDRAM x6 4GB SAMSUNG 40nm R-ECC DDR3 1333 SDRAM x12 | |||||
| 软件环境 | ||||||
| 操作系统 | Microsoft Windows Server 2008 R2 Datacenter Edition | |||||
Intel Nehalem-EP测试平台
需要注意的是，虽然这个内存被设计为1.35V电压下工作，但我们收到的样品SPD里写入的是1.5V，这会影响其实际功耗表现。在测试中，我们没有使用处理器的Turbo Boost功能。
40nm工艺的三星低电压内存，模组型号M393B5273CH0-YH9
对比的旧内存：
也是三星内存，基于50nm工艺，外表包有一层具有散热、保护作用的散热器
模组型号M393B5170DZ1-CH9，R-ECC DDR3-1333
