FB-DIMM内存功耗再探究
在《FB-DIMM内存性能初探》、《再探FBDIMM性能：容量通道和配置》两篇文章中我们对于FB-DIMM内存的性能进行了多个角度的探讨，期间多次提及FBD的功耗，不过一直没有能对于其进行更多的测试。这个环节，我们对于不同配置状态下的FBD子系统的功耗进行了测试。
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Intel Xeon 5120平台 | ||
| FBD内存配置 | 无负载状态 | 满载状态 |
| 1GB x 4 4通道 | 265 瓦 | 319 瓦 |
| 1GB x 4 2通道 | 261 瓦 | 312 瓦 |
| 1GB x 2 2通道 | 248 瓦 | 299 瓦 |
在上一个章节中，我们得到的结论是位于FBD通道末端的单条内存模组的功耗大约为6.5瓦。而工作在4通道配置模式下的FBD的功耗又有了明显的提高，达到了10瓦，相对于上一种状态提升了大约50%。
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Intel Xeon 5120平台 | ||
| FBD内存数量 | 无负载状态 | 满载状态 |
| 1GB x 4 4通道 | 265 瓦 | 319 瓦 |
| 1GB x 2 2通道 | 248 瓦 | 299 瓦 |
| 差异 | 17 瓦 | 20 瓦 |
| 每条内存功耗 | 8.5 瓦 | 10 瓦 |
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这组数据显示，在“无负载状态”下（实际上是低负载状态），FBD内存的功耗是普通DDR2内存的17倍，而“满负载状态”下，FBD内存的功耗是普通的DDR2内存的4.4倍！
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在主流内存配置模式下，Intel Xeon 5100同AMD Opteron 2000平台相比依然占据明显的优势。而在16 DIMM状态下，其领先优势已经缩小到了不到20%。从32DIMM的计算结果来看，如果将FBD内存引入到更高端的系统中，“小电老虎们”会完全把Xeon 5100的所有功耗优势消耗殆尽！
