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IDF2011--回顾Intel晶体管的发展历程

    【IT168 评论】2011.09.13-15,2011秋季IDF在美国洛杉矶隆重召开,众多英特尔最新技术在此次论坛上得到展示,其中包括众人瞩目的Ivy Bridge芯片组、Ultra Book、22nm晶体管技术等等。让我们跟随Intel高级工程师Mark Bohr,一起回顾下过去几十年晶体管的发展历史。

Intel晶体管的发展历程(1)

  1969年,英特尔开发出10微米PMOS晶体管;1974年,英特尔开发出6微米制程技术;1978年,英特尔开发出3微米制程技术;1989年,英特尔开发出1微米制程技术;1993年,英特尔开发出0.8微米制程技术;1995年,英特尔开发出0.35微米制程技术;1997年,英特尔开发出0.25微米制程技术;1999年,英特尔开发出0.18微米制程技术;2001年,英特尔开发出0.13微米制程技术;2003年,英特尔开发出90纳米制程技术;2005年,英特尔开发出65纳米制程技术;2007年,推出45nm制程技术;2009年,推出32nm制程技术,在今年的大会上Intel高调宣传其22nm技术。晶体管的大小基本上每两年就会缩小30%。

IDF2011--回顾Intel晶体管的发展历程
 

  21世纪初,传统晶体管逐渐淡出历史舞台,而随之相应的问题也来了,随着晶体管的超大规模集成,漏电现象变得日益严重,每更新一代工艺,漏电功耗将近上一代技术的三倍。

IDF2011--回顾Intel晶体管的发展历程

  90nm硅晶体管原理

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