未来晶体管的发展方向
正如之前我们已经介绍过的那样，漏电问题已经成为了晶体管技术亟需面对的问题，这个问题已经阻碍了22nm处理器的发展，由此才开始了3D晶体管的研发。未来III-V族晶体管的的主要发展方向依然是致力于降低漏电与晶体管功耗，以低电压为目的，并且将采用石墨烯、碳纳米管等新的材料。
晶体管发展之路
如今，22nm晶体管已经进入了量产阶段，而14nm晶体管也已经突破了研发，进入到了即将量产的排期中。只有10nm工艺还在进行最终的讨论，包括诸多新材料还在探索中。不过来自最新的IDF资料显示，英特尔已经表示这种工艺最高只能支持到2nm，当然10nm工艺还很遥远，2nm就更不得而知了。
