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ISSCC 2010:Intel 8T SRAM晶体管技术

编者:一年一度的IEEE(Institute of Electrical and Electronics Engineers,国际电气电子工程师学会)ISSCC(International Solid-State Circuits Conference,国际固体电路会议)是全球半导体业界的盛会,被誉为集成电路行业的奥林匹克大会,在国际学术、产业界都受到极大关注,大会上的发布内容通常代表了未来半导体业界3~6年内的发展方向。在会上,半导体业界的巨头们会竞相登台展示自己正在研发的新技术。

  【IT168评测中心】ISSCC 2010上Intel带来的论文设计多个方面,除了纯处理器的《Westmere: A Family of 32nm IA Processors》之外,还有和处理器很有关系的《PVT-and-Aging Adaptive Wordline Boosting for 8T SRAM Power Reduction》,它也是本文的主要内容。


ISSCC 2010


Nehalem-EP处理器晶元图

  很多人或许都知道在Nehalem当中,使用了8T SRAM单元技术来代替传统的6T SRAM单元技术,虽然晶体管的数目看起来增加了,然而实际上,8T SRAM单元的目标却是用来降低功耗,实际上它也达到了这个目的:

  如图所示,功耗和电压的三次方成正比,而8T SRAM单元虽然晶体管数量略有增加,然而却可以获得更低的工作电压,最终获得了功耗的降低,接下来我们就来看看这个8T SRAM单元技术的内容。

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