编者：一年一度的IEEE（Institute of Electrical and Electronics Engineers，国际电气电子工程师学会）ISSCC（International Solid-State Circuits Conference，国际固体电路会议）是全球半导体业界的盛会，被誉为集成电路行业的奥林匹克大会，在国际学术、产业界都受到极大关注，大会上的发布内容通常代表了未来半导体业界3~6年内的发展方向。在会上，半导体业界的巨头们会竞相登台展示自己正在研发的新技术。
【IT168评测中心】ISSCC 2010上Intel带来的论文设计多个方面，除了纯处理器的《Westmere: A Family of 32nm IA Processors》之外，还有和处理器很有关系的《PVT-and-Aging Adaptive Wordline Boosting for 8T SRAM Power Reduction》，它也是本文的主要内容。
ISSCC 2010
很多人或许都知道在Nehalem当中，使用了8T SRAM单元技术来代替传统的6T SRAM单元技术，虽然晶体管的数目看起来增加了，然而实际上，8T SRAM单元的目标却是用来降低功耗，实际上它也达到了这个目的：
如图所示，功耗和电压的三次方成正比，而8T SRAM单元虽然晶体管数量略有增加，然而却可以获得更低的工作电压，最终获得了功耗的降低，接下来我们就来看看这个8T SRAM单元技术的内容。
