【编者按】2009年秋季英特尔信息技术峰会(IDF)于9月22-24日在美国旧金山的马士孔尼会展中心(Moscone Center West)举行。为期3天的2009秋季IDF将展出英特尔及其众多合作伙伴在移动互联网、笔记本电脑、桌面平台、消费电子、嵌入式、视觉计算、云计算、数据中心等多个领域的最新科技。IT168 2009年秋季IDF报道团队将带您一起直击现场。
根据IT168前方记者发回现场资料，在22日上午，英特尔高级副总裁兼技术与制造事业部总经理--Bob Baker先生给大家介绍了英特尔在制造工艺方面推动摩尔定律不断向前发展方面的不懈努力，以及Intel通过硅技术与制造技术层面的深入研究和努力，在制造工艺方面的最新突破。
摩尔定律三大研发方向
英特尔高级副总裁兼技术与制造事业部总经理--Bob Baker先生
摩尔定律三大发展方向，铜+低K工艺，应变硅工艺，以及高K金属栅极
来自麻省麻省理工学院电气工程系教授Jesus Del Alamo探讨了化学元素应用于半导体制造的前景，尤其是所谓III-V元素材料。目前全球已经有越来越多人关注元素周期表上位于III-V区元素在半导体领域内的应用，基于III-V材料的晶体管相比硅晶管速度更快，且需要的能耗更低，这一研究项目目前仅处于研究阶段，但可以预见未来将给半导体制造行业带来巨大变革。
Intel将摩尔定律延续到底的决心
