【编者按】2009年秋季英特尔信息技术峰会(IDF)于9月22-24日在美国旧金山的马士孔尼会展中心(Moscone Center West)举行。为期3天的2009秋季IDF将展出英特尔及其众多合作伙伴在移动互联网、笔记本电脑、桌面平台、消费电子、嵌入式、视觉计算、云计算、数据中心等多个领域的最新科技。IT168 2009年秋季IDF报道团队将带您一起直击现场。
根据IT168前方记者发回现场资料，在22日上午，英特尔高级副总裁兼技术与制造事业部总经理--Bob Baker先生给大家介绍了英特尔在制造工艺方面推动摩尔定律不断向前发展方面的不懈努力，以及Intel通过硅技术与制造技术层面的深入研究和努力，在制造工艺方面的最新突破。
摩尔定律三大研发方向
英特尔高级副总裁兼技术与制造事业部总经理--Bob Baker先生
摩尔定律三大发展方向，铜+低K工艺，应变硅工艺，以及高K金属栅极
来自麻省麻省理工学院电气工程系教授Jesus Del Alamo探讨了化学元素应用于半导体制造的前景，尤其是所谓III-V元素材料。目前全球已经有越来越多人关注元素周期表上位于III-V区元素在半导体领域内的应用，基于III-V材料的晶体管相比硅晶管速度更快，且需要的能耗更低，这一研究项目目前仅处于研究阶段，但可以预见未来将给半导体制造行业带来巨大变革。
Intel将摩尔定律延续到底的决心
揭秘下一代芯片产品
Baker先生同样在IDF大会上透露了即将发布的32nm的芯片处理器产品的部分细节。在所有公开的32纳米或28纳米技术中，32纳米第二代高k金属栅极晶体管的性能最高（按照导通电流衡量）。使用该制程的NMOS晶体管的性能比上一代的45纳米提高了19%，PMOS晶体管的性能提高了28%。
自2007年11月以来，英特尔已经出货了超过2亿片采用高k金属栅极晶体管的45纳米处理器。现在，其32纳米制程也已经得到认证，而Westmere CPU晶圆正在进入工厂，计划在第四季度投产
Intel基于32nm制造工艺处理器的领先地位
Baker揭秘2年内Intel处理器制造工艺发展路线，包括即将发布的32nm，以及在2011年，处理器制造工艺将发展至22nm制程，而2013年处理器制造工艺有望向15nm台阶迈进
据称32nm下一代技术22纳米技术延续了摩尔定律：晶体管更小，每个晶体管能效（性能/每瓦）更高、成本更低，可适用于不同的应用场景
摩尔定律辉煌历史
在会上，Baker先生展示了包括单核、双核、四核以及八核基于45nm制程的全线处理器产品
Baker先生给大家回顾了过去几十年芯片制造工艺技术的进步与飞跃。从最早250nm制造水准发展到如今的45nm制程，芯片的体积越来越小、运算密度越来越大、处理能力越来越强劲、能耗越来越低，且同时成本越来越低。按Intel路线图，未来芯片制造工艺精细化程度将越来越高
Intel展示全球有能力生产32nm处理器的四大制造基地，2年内投资超过7亿美元
