MOSFET发展过程
在30年前，处理器的MOSFET制程还在1萎靡以上，而到了30年后的2005年，处理器的制程已经降低到了65nm。随着晶体管体积的降低，处理器的功耗也有着明显的下降。根据英特尔Tick-Tock战略，每2年处理器的制程降低到原来0.7倍。
原有的技能已经不能满足当前的要求
我们都知道，处理器的主要原料为二氧化硅，而如何能够将二氧化硅转化为昂贵的晶圆，其中存在着许多复杂的工艺。而当晶体管的体积原来越小，新的问题出现了——在应变硅、高K金属栅极都已经完成自己的使命之后，晶体管的漏电问题已经越来越严重，已经超出了功耗允许的范围。于是，3D晶体管技术出现了，3D Tri-Gate晶体管架构能够有效提高单位面积内的晶体管数量，使得非常适合轻薄著称的移动设备，它将取代CPU领域现有的2D架构，手机和消费电子等移动领域都将应用这一技术。
