英特尔32纳米至强5600处理器知识宝典
问题2:与45纳米相比,32纳米工艺带来了什么样的进步?
英特尔32纳米工艺由于采用了第二代高-K金属栅极晶体管技术,用于高K材料的等价氧化物(电介质)的厚度从45纳米工艺时的1纳米缩小至0.9纳米,栅极长度缩小到了30纳米,所以单位面积可以集成更多晶体管,处理器的同比封装尺寸将是45nm产品的70%;同时采用了第4代应变硅,电子在晶体管中的流通更顺畅,阻力更小,耗电更低。因此,相比较于45纳米,最新的32纳米处理器更小,更快,更强,更高能效。总之,32纳米工艺进一步提升了英特尔部署晶体管密度的能力,提升了单位晶体管的性能,降低了单位晶体管的能耗。因此,可以在相同成本下提高性能,在同样的功耗下提升主频,也可以加入更多内核,把缓存做得更大。比如,得益于工艺进步,与上一代产品中最高端的X5570(2.93GHz,95w)相比,L5640(6核,2.26GHz,60w)的性能相当,但功耗却降低了30%。

32nm、6核心Westmere-EP核心照
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