问题2：与45纳米相比，32纳米工艺带来了什么样的进步?
英特尔32纳米工艺由于采用了第二代高-K金属栅极晶体管技术，用于高K材料的等价氧化物(电介质)的厚度从45纳米工艺时的1纳米缩小至0.9纳米，栅极长度缩小到了30纳米，所以单位面积可以集成更多晶体管，处理器的同比封装尺寸将是45nm产品的70%;同时采用了第4代应变硅，电子在晶体管中的流通更顺畅，阻力更小，耗电更低。因此，相比较于45纳米，最新的32纳米处理器更小，更快，更强，更高能效。总之，32纳米工艺进一步提升了英特尔部署晶体管密度的能力，提升了单位晶体管的性能，降低了单位晶体管的能耗。因此，可以在相同成本下提高性能，在同样的功耗下提升主频，也可以加入更多内核，把缓存做得更大。比如，得益于工艺进步，与上一代产品中最高端的X5570(2.93GHz,95w)相比，L5640(6核，2.26GHz,60w)的性能相当，但功耗却降低了30%。
32nm、6核心Westmere-EP核心照
