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IDF总结篇:新工艺 新技术 新概念

新工艺 新技术 新概念:22nm工艺制程

  当下大部分人仍在使用的处理器产品基于45nm工艺制程,而32nm则是下一个阶段主推的工艺制程。32nm处理器尚未大规模进入消费者手中,22nm就来了:在第一天的展会上,Intel通过多场会议展示了其最新的22nm工艺制程。

英特尔首席执行官欧德宁先生展示22nm晶圆
 

会上展示的是22nm的SRAM(静态RAM),并包括了22nm的IO电路、寄存器文件和混合信号电路,这些工艺会应用到处理器上

在这个22nm工艺制造的SRAM芯片中,包含了364Mbit的容量,也就是45.5MB大小(目前的Itanium 3将内建30MB L3缓存,45.5MB如此之大的容量肯定要再过几年才会达到),整个芯片集成了29亿个以上的晶体管

因为Intel现在使用的低功耗8T SRAM,将传统SRAM每一个位需要使用6个晶体管组成双稳态触发电路改为了8个晶体管电路,因此364Mbit SRAM全部采用8T晶体管线路的话就需要30亿(3053453312)个晶体管,可见这个22nm SRAM中8T线路和传统的6T线路各占了一部分。
 
22nm硅晶圆
 
 
8-T SRAM VS 6-T SRAM,8T可以工作在更低的电压,功耗也更低
 
  实际上,在这个SRAM中,有单位面积为0.108平方微米和0.092平方微米的SRAM单元在工作。0.108平方微米的单元为低电压操作而优化(8T线路);而0.092平方微米的单元为高密度而优化(6T线路)。22nm SRAM是迄今所知电路中可工作的最小的SRAM单元,它使用的曝光工具波长为193nm,再一次证明了英特尔顶尖的工艺技术。

  Intel简单地提到,22nm技术上将会应用到第三代的HK MG(高k金属栅极)晶体管技术,具有更低的漏电流和更低的功耗。

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