【编者按】2009年秋季英特尔信息技术峰会（IDF）于9月22-24日在美国旧金山的马士孔尼会展中心（Moscone Center West）举行。为期3天的2009秋季IDF将展出英特尔及其众多合作伙伴在移动互联网、笔记本电脑、桌面平台、消费电子、嵌入式、视觉计算、云计算、数据中心等多个领域的最新科技。IT168 2009年秋季IDF报道团队将带您一起直击现场。
【IT168 专稿】按照美国当地时间，今天是2009秋季英特尔信息技术峰会开幕的第一天。作为世界瞩目的IT技术峰会，第一天的内容给我们带来了许多的惊喜，英特尔首席执行官欧德宁先生在开幕之初就为到场的世界各国媒体展示了最新的22nm晶圆。随后，英特尔高级副总裁兼技术与制造事业部总经理Bob Baker发表了主题为“引领硅技术创新”的演讲，也算是为首天的09秋季IDF大会进行了总结。
英特尔高级副总裁兼技术与制造事业部总经理Bob Baker进行演讲
英特尔高级副总裁兼技术与制造事业部总经理Bob Baker今天发表主题演讲，介绍了英特尔通过新材料、硅技术与制造能力的研究与创新，将摩尔定律不断推向前进的不懈努力。
全球先进个可工作的22纳米测试电路
全球先进个可工作的22纳米测试电路
22nm晶圆的展示是今天最重大的消息，也是英特尔不懈努力寻求延续摩尔定律，让最终用户受益精神的最好体现。作为英特尔公司半导体制程技术中的又一个新突破，22nm晶圆实现了在单个芯片上整合更多的特性和更高的性能。两年前，英特尔展示了基于前一代32纳米技术可工作的测试电路，而本次峰会则标志着第三代高k金属栅极晶体管的诞生。最新发布的22纳米技术证明了摩尔定律将继续有效，并引领我们前进。
使用 SRAM 作为测试平台，在处理器和其他逻辑芯片使用该制程技术之前证明其技术性能、工艺良率和芯片可靠性。
晶圆工艺发展之路
英特尔22纳米技术现在处于全速发展阶段，按既定步调将“Tick-tock模式”推进到下一代。该22纳米测试电路包括用于22纳米微处理器的SRAM存储器和逻辑电路。
晶圆工艺的进步延续了摩尔定律
在364兆位阵列中，有单位面积为0.108平方微米和0.092平方微米的SRAM单元在工作。0.108平方微米的单元为低电压操作而优化；而0.092平方微米的单元为高密度而优化，而且是迄今所知电路中能工作的最小的SRAM单元。该测试芯片在指甲盖大小的面积上整合了29亿个晶体管，密度大约是之前32纳米芯片的两倍。
22纳米技术延续了摩尔定律：晶体管更小，每个晶体管能效（性能/每瓦）更高、成本更低。
