【编者按】2009年秋季英特尔信息技术峰会（IDF）于9月22-24日在美国旧金山的马士孔尼会展中心（Moscone Center West）举行。为期3天的2009秋季IDF将展出英特尔及其众多合作伙伴在移动互联网、笔记本电脑、桌面平台、消费电子、嵌入式、视觉计算、云计算、数据中心等多个领域的最新科技。IT168 2009年秋季IDF报道团队将带您一起直击现场。
【IT168 专稿】IDF是全球最负盛名的技术行业盛会之一。作为由Intel发起和主导的全球性信息技术峰会，历届IDF都承载着分享最新技术成果、展望科技未来的重任。 在刚刚进行的IDF2009主题演讲中，欧德宁展示了22nm的晶圆。他表示，采用22nm制造工艺的处理器产品将在2011年下半年推出，每个处理器DIE内将容纳2.9亿个晶体管。
欧德宁表示：“英特尔遵循摩尔定律，正继续推动产业的发展。我们已经开始生产世界上第一款32纳米微处理器，这也是第一款在CPU中整合图形功能的高性能处理器。与此同时，22纳米制造技术的开发已取得重大进展，并研制出了可工作的芯片，为生产更强大、更智能的处理器铺平了道路。”
欧德宁展示的22纳米晶圆由一个个芯片构成，其中每个芯片包含364兆位的SRAM存储器，并在指甲盖大小的面积上集成了超过29亿个晶体管。从迄今的公开报道来看，这款芯片包含有可工作电路中最小的SRAM单元，每个单元只有0.092平方微米。它基于第三代高k金属栅极晶体管技术，提高了性能并减少了漏电。
据欧德宁先生介绍，2011年，英特尔将采用22nm制造工艺升级新一代架构Sandybrige，这意味着，新架构中将融入更多的block。而当22nm工艺成熟后，英特尔会上马再后一代的架构Haswell。
以下是英特尔在会后的技术课程上提到的有关22nm工艺的技术特征和未来路线：
1、在处理器和其他逻辑芯片使用22纳米制程技术之前，SRAM 作为测试平台证明了22纳米的技术性能、工艺良率和芯片可靠性。
2、英特尔22纳米技术现在处于全速发展阶段，按既定步调将“Tick-tock模式”推进到下一代。
3、该22纳米测试电路包括用于22纳米微处理器的SRAM存储器和逻辑电路。
4、在364兆位的阵列中，有单位面积为0.108平方微米和0.092平方微米的SRAM单元在工作。0.108平方微米的单元为低电压操作而优化；而0.092平方微米的单元为高密度而优化，而且是迄今所知电路中可工作的最小的SRAM单元。该测试芯片在指甲盖大小的面积上集成了29亿个晶体管，密度大约是之前32纳米芯片的两倍。
5、22纳米尺寸使用的曝光工具波长为193纳米，证明了英特尔精妙的光刻技术。
6、22纳米技术延续了摩尔定律：晶体管更小，每个晶体管能效（性能/瓦）更高、成本更低。
