【2009秋季IDF报道】9月13日，英特尔公司披露了其即将推出的32纳米制程技术的最新细节，这项技术将用于新的2010酷睿系列处理器和未来的片上系统SoC（System on a Chip）产品。英特尔首次开发了全功能的SoC制程技术，与CPU制程技术均使用第二代高k金属栅极晶体管，具备行业领先的性能和能耗特征。
英特尔详细介绍了有关两个版本32纳米制程技术的最新情况，以及全新45纳米高k金属栅极的技术细节。在9月22日-24日即将举行的英特尔信息技术峰会以及12月份召开的国际电子设备大会上提交的论文中，英特尔将通过多种方式阐述这些技术。
英特尔透露，自2007年11月以来，英特尔已经出货了超过2亿片采用高k金属栅极晶体管的45纳米处理器。现在，其32纳米制程也已经得到认证，而Westmere CPU晶圆正在进入工厂，计划在第四季度投产。
据了解，在所有公开的32纳米或28纳米技术中，32纳米第二代高k金属栅极晶体管的性能最高（按照导通电流衡量）。使用该制程的NMOS晶体管的性能比上一代的45纳米提高了19%，PMOS晶体管的性能提高了28%。
编者注：逻辑门电路是数字电路中最基本的逻辑元件。所谓门就是一种开关，它能按照一定的条件去控制信号的通过或不通过。逻辑门电路按其内部有源器件的不同可以分为三大类。第一类为双极型晶体管逻辑门电路，包括TTL、ECL电路和I2L电路等几种类型，其中TTL逻辑门电路工作速度高，驱动能力强，但功耗大，逻辑度低。第二类为单极型MOS逻辑门电路，包括NMOS（用N沟通增强型场效应管构成的逻辑电路）、PMOS（用P沟通场效应管构成的逻辑电路）、LDMOS（用横向双扩散MOS管构成的逻辑电路）、VDMOS（用垂直双扩散MOS管构成二逻辑电路）、VVMOS、IGT等几种类型；第三类则是二者的组合BICMOS门电路。如CMOS逻辑门电路是NMOS和PMOS的互补型电路，功耗极低，成本低，电源电压范围宽，逻辑度高，抗干扰能力强，输入阻抗高，扇出能力强。
同时，在所有公开的32纳米或28纳米技术中，32纳米第二代高k金属栅极晶体管的密度也是最高的。用于衡量密度的晶体管栅极间距是112.5纳米。栅极间距代表了在特定区域中容纳晶体管的紧密程度。更高的密度意味着特定硅面积内的晶体管数量更多，功能和性能也可以进一步提高。
32纳米Westmere处理器
英特尔首次开发了全功能SoC制程技术，作为CPU制程技术的补充。英特尔表示，其32纳米SoC制程技术也是业内所有公开的32纳米或28纳米制程技术中非常先进的。该制程技术的特性包括超低功率的第二代高k金属栅极晶体管，适用于低待机功耗/永远开启的电路应用；以及高电压I/O晶体管。该制程技术还包括SoC特需的全新高精度、高质量无源组件，例如电阻器、电容器和电感器。
据国外媒体报道，英特尔将在今年秋季IDF上公开采用32nm工艺技术制造的嵌入用微处理器“Jasper Forest（开发代码）”和嵌入设备用SoC产品。其中Jasper Forest用于商务通信以及数据存储装置等。
