AMD "Shanghai"

　　由于制程工艺的更新换代，和上一代AMD 65nm CPU相比，“上海”具有更低的功耗以及更高的性能，据称，“上海”同频下功耗将降低近28%，或在相同功耗下将频率提高近30%。

　　AMD的45纳米制程工艺是联合IBM一同研发的。有趣的是，与英特尔的高-K金属栅极不同，AMD和IBM的技术是超低K电介质互联。而另两项相关技术分别是：多重增强晶体管应变技术和沉浸式平板应刷术。

　　简单来说，多空、超低K电介质互联可以降低互联电容、写入延迟和能量消耗，从而明显提升性能功耗比；而沉浸式平板印刷术，实际上就是在激光蚀刻头的中间加入一种特殊的液体来修正光的折射，从而让其在晶圆上更好的刻录晶体管。用这种工艺设计生产的SRAM芯片可获得大约15％的性能提升。真正解决AMD在45纳米技术难题的是多重增强晶体管应变技术，AMD和IBM称，与非应变技术相比，这一新技术能将P沟道晶体管的驱动电流提高80％，将N沟道晶体管的驱动电流提高24％。

　　AMD表示，这些技术不但可以用在45纳米领域，还是未来32纳米处理器制程的关键技术。

 
AMD 45nm Shanghai Opteron 2378实物照

AMD 45nm Shanghai Opteron 2378实物照

AMD 45nm Shanghai Opteron 2378实物照

左：45nm Shanghai Opteron 2378
右：65nm Barcelona Opteron 2354

左：45nm Shanghai Opteron 2378
右：65nm Barcelona Opteron 2354

左：45nm Shanghai Opteron 2378
右：65nm Barcelona Opteron 2354