【IT168 专稿】AMD最新的四核皓龙处理器"上海"采用了先进的45纳米制造工艺。在过去的一年里，我们被耳濡目染或多或少的知道了45纳米会给我们带来很多好处。如功耗的大幅度降低， CPU晶体管集成度提高带来更多的缓存，更低的发热量，核心电压的降低使节能特性有更大的提高。

    可以说，45纳米技术是个里程碑式的突破。从市场反应来看，45纳米技术确实给处理器带来了飞跃的提升。人们开始认识到处理器性能不再是原先的一味比拼主频和缓存大小，制程工艺带来的性能功耗比越来越成为衡量处理器性能的标尺。

    AMD的45纳米制程工艺是联合IBM一同研发的。有趣的是，与英特尔的高-K金属栅极不同，AMD和IBM的技术是超低K电介质互联。而另两项相关技术分别是：多重增强晶体管应变技术和沉浸式平板应刷术。

    简单来说，多空、超低K电介质互联可以降低互联电容、写入延迟和能量消耗，从而明显提升性能功耗比；而沉浸式平板印刷术，实际上就是在激光蚀刻头的中间加入一种特殊的液体，从而让其在晶圆上更好的刻录晶体管。用这种工艺设计生产的SRAM芯片可获得大约15％的性能提升。真正解决AMD在45纳米技术难题的是多重增强晶体管应变技术，AMD和IBM称，与非应变技术相比，这一新技术能将p通道晶体管的驱动电流提高80％，将n通道晶体管的驱动电流提高24％。

    AMD表示，这些技术不但可以用在45纳米领域，还是未来32纳米处理器制程的关键技术。