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MetaRAM DDR3技术让IA服务器内存翻倍

   【IT168 专稿】半导体公司MetaRAM近日在IDF上发布了其DDR3 MetaSDRAM技术,可以让未来英特尔架构服务器和工作站中的DDR3内存容量翻倍,且不会降低内存运行性能。英特尔高级副总裁帕特.基辛格在其IDF主题演讲中介绍了这一技术。英特尔还在IDF上展示了一款装有144GB DDR3 Hynix(海力士)R-DIMM内存的服务器样机,同时展出了来自Hynix的16GB 2-rank R-DIMM。

    与前一代 DDR2技术相似,DDR3 MetaSDRAM可以大幅提高一台服务器中的内存容量。不同的是,DDR3技术不会影响DDR3内存的运行频率。它可以让24GB DDR3 SDRAM运行在1066MT/s(百万条处理每秒million transactions per-second),这是目前业界公开的最好水平。通过使用3条16GB DIMM模块,用户可以在每个通道实现48GB的容量,而业界其他一些低成本的方案最大只能达到每通道16GB。

    众所周知,CPU和内存之间的发展步调不太一致,处理器的计算能力大约每18个月增加一倍,而内存容量则是每36个月翻番。MetaSDRAM 认为其新技术可以填补这一差距。MetaSDRAM的芯片组位于内存控制器和DRAM之间,可以让每个DIMM上的内存容量增加四倍,而无需做出其他任何硬件或软件方面的改变,从而在不增加太多成本的情况下解决内存容量的问题。对于内存控制器而言,该芯片组使得多个DRAM看起来象是一个更大容量的DRAM。MetaSDRAM 认为这一技术使得内存技术向前推进了2-4年。

    另外,MetaSDRAM提供了X4和X8 DIMM接口支持,其MetaRAM WakeOnUse动态功耗管理技术可以在内存没有使用时最大程度降低DRAM功耗。

    DDR3 MetaSDRAM芯片组包括4GB、8GB和16GB三个版本。除16GB芯片组最大运行在1066 MT/s,其他两种最大总线速度可以达到1333 MT/s。这三种都支持与JEDEC相兼容的R-DIMM内存模块。

    MetaRAM目前已经开始提供这三种芯片组的样品,以及相关的R-DIMM设计参考规范。4GB 1-rank 芯片组( MC01G3) 和8GB 2-rank 芯片组( MC02G3) 将在今年10月份开始全面投产;而16GB 2-rank 芯片组(MC04G3) 要到今年12月份才开始投产。

    MetaSDRAM是当前唯一可以基于主流、廉价的1Gbit SDRAM,来构建 2-rank 8GB 或16GB R-DIMM的技术。在英特尔未来的服务器系统中,使用8GB 或16GB R-DIMM,可以最大实现144GB或288GB的内存容量。英特尔目前已经确认,在其即将推出的服务器系统中,将使用MetaRAM的DDR3 MetaSDRAM技术。

    海力士半导体公司正将MetaRAM的全新DDR3技术用在其下一代的R-DIMM产品中,包括全球先进款16GB 2-Rank R-DIMM(HMT32GR7AER4C-GD)。Hynix的16GB和8GB (HMT31GR7AER4C-GC) 2-rank DIMM可以将服务器和工作站中的DDR3内存容量提高3倍。这也是目前全球每通道容量最大的内存技术,而且不会降低性能。与早期的DDR技术一起,DDR3 MetaRAM技术使得海力士可以使用主流的1GB DRAM来生产低成本、高容量的R-DIMM内存。

    据了解, DDR3 MetaSDRAM主要适用于高性能机架服务器和工作站产品,用于计算密集型应用,如3D CAD模拟、数据库交易和商业智能,数字内容创作,电子设计自动化和虚拟化。这些高负载应用主要分布在航空航天、汽车、动漫制作、金融分析、油气勘探开发和半导体设计以及模拟等领域。
 

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