从65nm进程进化到45nm进程，很明显地晶体管的大小就降低了，如上图所示，采用45nm工艺、具有8.2亿晶体管的Intel Harpertown Xeon 5400只具有107平方毫米的面积，而65nm工艺、只具有3.82亿晶体管的Intel Clovertown Xeon 5300的面积达到了143平方毫米，晶体管密度几乎提升到了原来的3倍！晶圆面积的缩小带来的就是能源的降低，关于这部分的详细信息，可以参看：40年大突破 英特尔45nm晶体管技术解析，我们现在分析的是Penryn架构带来的两项移动处理器专用电源管理技术。
Deep Power Down Technology深层关机技术
我们对C1E、EIST等技术已经熟知能详了，DPDT深层关机技术在先前架构的基础上再引入了一个被称为C6的深层关机状态（当然，还有一个C5，不过这不是重点）。在以往的状态中，休眠的处理器最低可切换到C4状态，此时核心电压会略微降低（EIST的功能），核心时钟和PLL始终都会进行关闭，L2缓存的数据会部分地写入到外部存储器，而L1缓存则会完全地写入外部存储器而处于休眠状态，而在新的深层关机状态中，核心电压会降得更低，L1、L2缓存电路会完全地关闭，此时处理器的功率会降低到一个前所未有的高度，大大地降低了待机能耗。
此外，Penryn的Deep Power Down Technology还提升了状态切换的速度，可以很快地在各种状态切换的速度，从而可以更多地进入各种低能耗的状态。
Enhanced Intel Dynamic Acceleration Technology增强Intel动态加速技术
Enhanced Dynamic Acceleration Technology增强动态加速技术其实是一个超频技术，和我们的超频不同的是，Intel需要保证这个功能的正常运作。Enhanced Dynamic Acceleration Technology增强动态加速技术用于提升多核系统在休眠状态下的性能——这听起来很怪，不过它确实可以降低一些能耗，同时通过提升单个核心的频率提供足够的性能，用来避免两个核心的负载都不充足时带来的能耗。
