【IT168 报道】美国总统乔治布什今日宣布，美国商务部和技术局授予IBM“2004年国家科技奖章”，以表彰IBM四十多年来在半导体科技领域取得的创新成就。

    该奖章是对IBM诸多成就的高度认可，嘉奖其取得的重大技术突破，例如多核处理器集成技术的开发、DRAM（动态随机存取存储器）、铜质片上布线（copper on-chip wiring）技术的应用、绝缘硅(SOI)技术以及高速硅锗芯片等。IBM的技术成就显著改善了现代微处理器的性能和多功能性。

    国家科技奖章是由美国总统向杰出创新者颁发的最高荣誉，旨在表彰通过科技创新为提高国家竞争力、生活标准和生活质量做出持久贡献，以及为壮大国家科技人员队伍做出巨大贡献的企业和个人。

    IBM 公司创新和科技执行副总裁Nick Donofrio表示：“在IBM，我们深知创新的真正价值不完全在于发明，而在于应用新技术来造福企业和社会。四十多年来，我们在半导体领域取得的突破催生了大量新的产品和服务，这些产品和服务极大地改善了人们的生活质量，也提高了我们高效高产地经营企业的能力。此次，IBM在基础研究和开发领域的长期努力得到了高度认可，我们对此感到非常荣幸——这是对我们的最大激励，今后，我们要创造更多奇迹。”

    IBM是尖端半导体及互连技术（如其业界领先的Power 架构微处理器）开发和制造领域公认的全球领导者。IBM半导体技术是各种数字设备的核心，从照相机、移动电话，到全球最强大的超级计算机，不论大小，无一例外。

    IBM秉承“协作创新”理念，积极与全球各大半导体开发商合作进行开发项目，推动纳米技术学的进步。在纽约州的East Fishkill 和奥尔巴尼、佛蒙特州的伯林顿、德州的奥斯汀、明尼苏达州的罗彻斯特、加州的圣荷西以及其它地方，IBM与全球领先科技企业携手并进。

    IBM在微电子领域的创新和开创性的系统芯片设计技术，为整个半导体世界带来了翻天覆地的变化。IBM引领的突破性成就包括：

    铜半导体——铜的导电能力比铝强40%。IBM的研究员率先利用钨来制造铜芯片，其运行速度大大高于铝芯片。

    硅锗（SiGe）——硅锗被应用于双极芯片的生产，取代昂贵的砷化镓制程。硅锗技术使工作频率、电流、噪音和功率等方面的性能表现得到显著提高，特别是对于现代移动无线设备。

    绝缘硅（SOI）——在硅表面和晶体管之间放一层薄绝缘体，可以保护晶体管免受电效应的影响，从而提高性能、降低功耗。

    应力硅——这种技术可以拉伸（或延展）硅，从而加速电子流经芯片的速度，在不缩小体积的条件下提高性能、降低功耗。如配合绝缘硅使用应力硅，可进一步提高性能、降低功耗。
化学增强型光阻材料——此项创新利用灵敏的光敏化学制剂，将超小电路的性能转移到硅片上，实现可靠的生产。

    科技奖章是于1980年根据一份国会法案设立的，在1985年首次颁发。该奖章的目的在于强调科技创新对国家的重要性，激励一代又一代的美国人积极追求科技事业，以确保美国始终位于全球科技和经济的最前沿。IBM上次荣获科技奖章是在2000年，原因是其在硬盘驱动器技术和信息存储产品领域的创新。