【IT168评测中心】Samsung三星电子是半导体业界的大厂商，在服务器领域，我们主要接触的三星产品是内存——内存颗粒以及内存条。三星的服务器内存颗粒或者原厂内存很是常见。
本次主角：Samsung内存模组
Xeon 5600：Westmere-EP，官方支持1.35V的低电压内存
在绿色低碳的大环境下，和其他半导体产品一样，内存系统的功耗也在不停地降低当中。因为在一个大型服务器服务器当中，除了处理器占用了一个主要的功耗之外，内存系统的功耗也不容忽视：
不同容量的60nm工艺内存条在服务器系统中的功耗百分比
工艺改进可以降低功耗。现在市面上使用的内存模组都是基于老的60nm/50nm工艺，约在上一年下半年，三星开始使用40nm工艺制造内存：
09年第四季度左右开始大量生产40nm内存产品
新的制程不仅提升了内存密度，让制造更大容量的内存模组成为可能，同时内存模组的工作电压也得到了降低：
48GB内存功耗对比：40nm比60nm降低了73%
日前推出的Intel Westmere-EP平台也开始支持新的低至1.35V工作电压的DDR3内存，我们从三星获得了搭配的内存模组：40nm工艺、48GB容量的1.35V R-ECC DDR3 1333内存，下面我们就来看看这套新工艺制作的大容量低电压内存套装。
每条4GB，一共12条
没有通常内存条上常见的金属外壳，可见其功耗并不高
标准的三星内存条外观
模组型号是M393B5273CH0-YH9，怎么解读呢？看下图：
M393B5273CH0-YH9：DIMM、x72 240pin Registered、2Gb颗粒、x8位宽、第四代产品、无铅无汞FBGA封装、1.35V低电压、DDR3-1333
它也能兼容1.5V工作电压，因此老的Xeon 5500也可以使用
内存颗粒是三星K4B2G0846C-HYH9
内存颗粒、Registered及SPD芯片
K4B2G0846C-HYH9：2Gb、x8位宽、8 Banks、第四代产品、无铅无汞FBGA、1.35V低电压、DDR3-1333，和内存模组的型号有许多贴近之处
对这套三星40nm 1.35V低电压内存模组的测试正在进行之中，请继续关注。
