【IT168 专稿】一直以来，人们对于Intel在工艺流程方面的推测就非常热烈。这场猜测游戏在今年的IEDM大会之后，会愈演愈烈，Intel公司计划在这次大会上给出几篇他们45nm制程的论文。

    似乎Intel会在未来的产品中率先应用真正的45nm制程。他们在能耗性能方面和产能方面，在65nm时代就比其他对手，特别是AMD公司，有更好的表现。此外，以往传言在65nm制程的产品产能上的严重问题这次并没有发生。

    我们还可以从公司的陈述中得知，Intel虽然在65nm关键层上都没有使用浸润式光刻技术，然而根据至少一份报告可以很清楚的知道，在45nm制程上正在使用这种技术。如果Intel制程研究人员正在依据相同的物理原理，那究竟是怎么回事呢？

    我听过的最似是而非的回答就是Intel同时从很多方面出发来攻克65nm和45nm产能问题。与尝试寻找一个合适的能产生更好的任意形状的OPC技术不同的是，他们优化了复合表面光刻技术，OPC技术和电容来最小化制造成本，产量损失和工艺精度。这样似乎导致了在强阶段提升，要在一些精选OPC技术和多层干法光刻中作出选择。

    这与Luminescent Technology的总经理Moris Kori 的一个观点是一致的，那就是在全部的解决方案中寻找一个最优的方案的能力对作出正确的制程决策至关重要。Kori 当然是在用事实来支持他的产品，就是让设计者可以填充信息到掩模技术，光栅，曝光技术和照明以及OPC技术到测试工具，还能够比较模式的模拟结果。但是他的观点独立于他的财务目的的。

    但是笔者认为这不是全部真相。一个相当好的具体证据就是Intel也在用多自由度，一种让很多设计者讨厌的：设计规则限制。例如，在2007年1月的论文中，Intel的作者Farhang 和Deeter 说，“定义一个强壮的设计标准可以降低差异化的挑战，这是我们DFM战略的基础。”

    这能成为延长浸润式光刻技术，提高产能和降低差异的银弹么？是的，它能够做到，如果你能让自己的制程工程师，产品工程师，研发队伍和客户设计师都在一个组织里，而且希望对他们进行足够的磨练。有了这些条件的组合，Farhang和Deeter 描述了联合优化制程的过程，开发周期和产品设计。

    如果你遵守那些在模具上模式数量限制的规则，你就可以随意的让光刻专家和制程工程师给出一种能够做任何事的制程——他们在允许的模式数量内会达成一致。无庸置疑，这会大大减少出问题的概率，你可以把自己从林林总总的解决方案中解放出来。

    在过去，我们主要听到的讨论都是关于是否让令人讨厌的设计规则限制——侵犯表达的自由性——最终成为遥远未来的过程中的一个点。他们应该达成共识的，但是他们最好别这样，因为设计者会跟他们发生矛盾。现在我们可能面对的是我们正在讨论自由个性问题，Intel解决了很多设计方面的问题，相对于如今的制程有很大优势，并且已经投入到试产中。如果真的是这样的话，这至少是一个反面证据。