40年大突破 英特尔45nm晶体管技术解析

　　英特尔45nm技术带给我们什么？

　　同今天的65nm技术相比，英特尔宣称45nm技术具有多个方面的优势：

• 晶体管密度提升了2倍，从而使芯片体积更小

• 晶体管切换功率降低30%以上

• 晶体管切换速度提升20%以上

• 源极-漏极漏电功率降低5倍以上

• 栅极氧化物漏电功率降低10倍以上

　　这项技术落实到产品上就是闪存芯片和处理器，这些产品同样会因为这些特性而受益。双路Xeon将会是第一个全线应用45nm技术的产品线：代号为Harpertown的Xeon 5400处理器将会使用45nm Hi-k技术。

　　Xeon 5400处理器将会具有更高的集成度，每个四核处理器中将会包括8.2亿个晶体管，而上一代四核处理器Xeon 5300处理器则为5.8亿个晶体管，但是Xeon 5400处理器的核心面积则减小到了107平方毫米。“晶体管密度提升了2倍”的优势得以体现。

　基于45nm制程技术的四核Xeon处理器的主频不久前才达到了3GHz，而基于45nm制程技术的处理器的最高主频肯定是可以突破3GHz的，这也得益于“晶体管切换速度提升20%以上”。